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足球外围竞猜VIP中微公司:国产半导体设备之光

发布时间:2022-11-23      来源:网络


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  经历几番周折,科创板终于迎来了呼声最高的中微公司(目前“已受理”阶段)。半导体设备价值量最高的三部分依次为光刻机、刻蚀设备及薄膜沉积设备,而中微公司则代表我国刻蚀和薄膜沉积设备最高技术水平,是广受国际认可的后起之秀,自主研制出全球领先的等离子体刻蚀机,率先突破国外封锁。2019年半导体设备行业面临回整,但2020年将回归高速增长,看好国内半导体设备长期发展。

  中微公司—15年苦心孤诣终成正果。公司自2004年以来多次增资,但控制权始终掌握在创始人手中,多年来累计投入超过10亿元,自主研发出国际领先的等离子体刻蚀机,打破发达国家技术垄断,2017年纳入台积电7nm工艺设备采购名单,是国内公司首次参与世界最先进的芯片研发生产中;MOCVD设备也同样取得突破,2018年在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据主导地位。凭借先进技术和产品质量不仅吸引了诸如中芯国际、长江存储、三安光电等国内泛半导体龙头客户,其刻蚀设备更是进入了包括台积电、SK 海力士、联华电子、格芯等世界龙头企业。

  现金流由负转正迎来质变,公司成功度过亏损期。收入从2016年的6.10亿元增长至2018年的16.39亿元,年均复合增长率达64%,2018年增长率68.66%,净利润同样高速增长,从2016年亏损2.4亿增长至2018年的盈利9087万,2018年增长203%,成长性极强。经营活动净现金流量由负转正,经营质量迎来质变,主要由于公司销售规模扩大,预收账款和应收账款回款双双增加。现金流量净额是净利润的2.87倍,盈利质量有较大幅度的提升。

  可比公司包括泛林半导体、东京电子、北方华创等。2018年毛利率35.5%低于行业平均水平41.6%,主要是主动降价(尤其是MOCVD设备)抢占市场导致。而2016-2017年收入主要在刻蚀设备,所以毛利率与刻蚀设备主要竞争对手应用材料、泛林半导体、东京电子基本相同,技术上不存在较大差距。

  工艺迭代将催生新需求,长期看好半导体设备行业。“一代设备,一代工艺,一代产品”,半导体设备行业的技术水平及特点与半导体制造工艺的需求密切相关,下游需求的不断提高也对工艺产生新的要求,工艺不断精进,效率提升催生更多设备需求。叠加半导体产能转移浪潮,长期看好半导体设备行业,预计2019年中国设备销售额达到125亿美元,2020年将会更好。

  半导体设备真龙头,作为稀缺标的,有望享有高估值溢价:对比A股同类公司,中微公司具有两大特点:(1)布局领域更加核心,技术水平更加先进:半导体制备设备中,最核心的三部分为光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备,公司聚焦于刻蚀机和薄膜沉积设备,相较于A股上市聚焦分选测试的长川科技及主攻高纯工艺系统的至纯科技,无论是产业价值地位还是战略高度,都具有较大优势,在主营产品上也具有更强统治力,有望享有技术估值溢价;(2)产品更加专一,半导体设备细分领域真龙头:对比技术同样广泛认可的北方华创,其IC设备品类齐全,居国内设备商之首,但在刻蚀机领域北方华创主要侧重于金属刻蚀机、硅刻蚀机,中微半导体侧重于介质刻蚀机,从技术水平看硅刻蚀和金属刻蚀相对容易,介质刻蚀机是最难做的刻蚀设备,技术壁垒和价格溢价也较高。若成功登陆科创板,作为稀缺性标的有望享受细分领域龙头带来的估值溢价。

  中微公司聚焦于集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备的生产销售。坚持走独立自主开发的路线,招募国际和国内一流的技术人才,多年来保持较高的研发投入,目前研发核心技术和产品面向世界科技前沿,是国际半导体设备产业界公认的后起之秀。

  公司前身中微有限,由中微亚洲2004年在上海出资设立,设立时为外商独资企业。设立以来,中微有限通过中微开曼层面进行多轮海外融资并实施员工期权及持股计划及引进长效股权融资安排。海外架构调整前中微开曼陆续获得华登国际、光速创投、申创中微、国开金融等境内外机构投资者的多轮融资,2016年12月向巽鑫投资、上海创投和悦橙投资,2018年2月向创橙投资等3名机构投资者,及18年7月向巽鑫投资、亮橙投资等9名机构投资者进行股权融资。

  董事长及总经理尹志尧是公司创始人及核心技术人员,持股1.29%。创始人尹志尧自公司成立就担任掌舵人至今,曾在硅谷Intel公司、LAM研究所、应用材料公司等电浆蚀刻供职16年,2004年携15人技术团队回国创立公司。目前目前共有6名境外法人股东,20名境内法人股东,自然人股东8名,其中持5%以上(含)股份或表决权的股东,包括上海创投(上海国资委全资)、巽鑫投资(产业基金全资)、南昌智微(员工持股平台)、置都投资、中微亚洲、Grenade、Bootes、Futago、悦橙投资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸。无控股股东及实际控制人,第一大股东上海创投持股20.02%,第二大股东巽鑫投资持股19.39%。悦橙投资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸的普通合伙人均为兴橙投资,合计持股10.64%。

  公司主要业务是开发加工微观器件的大型真空工艺设备,包括两块:等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备。两者与光刻机是制造集成电路、LED芯片等微观器件的最关键设备。中微向全球领先的集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务,目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线 纳米的集成电路加工制造及先进封装。刻蚀机用来按光刻机刻出的电路结构,在硅片上进行微观雕刻,刻出沟槽或接触孔的设备。其对加工精度的要求非常高,公司刻蚀机的工艺,相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。公司的MOCVD设备在行业领先客户生产线上大规模投入量产,成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED MOCVD设备。MOCVD 设备市场有广阔的增长空间,包括红黄光LED、紫外光LED、功率器件和正在推动显示技术的Mini LED、Micro LED 等。半导体设备产业的波动要大于半导体芯片产业的波动,仅靠单一的设备产品来发展的企业无法抵御市场波动带来的不确定性。公司半导体设备覆盖集成电路、MEMS、 LED等不同的下游半导体应用市场,具有不完全相同的周期性,多产品覆盖能够平抑下游投资波动过大对公司业绩带来的影响。

  刻蚀设备方面,公司专攻等离子体刻蚀设备,分为电容性和电感性两类:电容性等离子体刻蚀设备(CCP)主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备(ICP)主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。CCP领域:2004年首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备Primo D-RIE,目前已成功开发了双反应台Primo D-RIE,双反应台PrimoAD-RIE 和单反应台的Primo AD-RIE 三代刻蚀机产品,涵盖65/45/32/28 /22/14/7/5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。ICP领域:2012年开始开发,目前已成功开发出单反应台的Primo nanova刻蚀设备,同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备,主要涵盖14/7/5纳米关键尺寸的刻蚀应用,还顺应集成电路先进封装和MEMS传感器产业发展的需要,成功开发了电感性深硅刻蚀设备。

  薄膜沉积设备方面,2010年开始公司开发用于LED外延片核心加工设备MOCVD,已开发三代,可用于蓝绿光 LED、功率器件等加工,包括第一代设备Prismo D-Blue、第二代设备Prismo A7及正在开发的第三代30英寸大尺寸设备。

  MOCVD迅速上量,目前贡献收入已超过刻蚀设备。2018年刻蚀设备销量71腔,均价796万,收入5.6亿(价值量占比40%),主要下游为集成电路制造商、半导体封测厂商,如台积电、中芯国际、联华电子、海力士等;MOCVD销量106腔,均价784万,收入8.3亿(价值量60%),主要下游为LED芯片、功率器件制造商,如三安光电、华灿光电等。公司未来将继续加大研发投入,两大产品齐头并进。

  刻蚀设备均价降低是由于单腔反应台销售占比提高而非产品单价降低。2016年刻蚀设备销量56腔,2017年受少数客户资本性支出消减的影响,下滑至33腔,同比下降41.07%;2018年度中国集成电路制造商投资持续大幅增长,公司及时重点加大在中国市场的销售力度,刻蚀设备的销量回升至71腔,同比增长115.15%,呈现出快速增长的势头。2018年刻蚀设备销售单价同比下降9.02%,主要系公司Primo SSC AD-RIE型号刻蚀设备销售收入有所提升,而该型号刻蚀设备是单腔反应台,较单腔多反应台设备售价相对较低所致。2018年公司刻蚀设备整体销售收入同比增长95.74%,回归正常水平。

  MOCVD占比快速提升主要是明星产品Prismo A7的推出。受益于公司长期的技术积累, Prismo A7 型号MOCVD设备在2017年度全面获得客户的认可,销售数量快速增长。2017年和 2018 年,公司MOCVD设备的销售数量分别为57腔和106腔,同比大幅增长。公司MOCVD设备主要由两种型号组成,分别为Prismo D-Blue和Prismo A7,两者因产品性能和配置的不同,销售价格差异较大,其中,PrismoA7的销售价格较高。 2016年,公司销售的MOCVD设备全部为Prismo D-Blue型号,销售均价为519万元,相对较低;2017年,公司MOCVD设备销售单价同比大幅增长79.20%,主要系2017年公司销售的MOCVD设备主要为PrismoA7型号,销售均价大幅提高所致;2018年公司MOCVD设备销售单价同比下降15.63%,主要是由于公司为进一步扩大市场份额,策略性地降低产品销售价格。2017年公司MOCVD设备收入同比增加51,473.98万元,增幅3304.74%,主要系2017年MOCVD设备销售数量和销售单价大幅增长所致; 2018年公司MOCVD设备收入同比增加30,174.73万元,增幅56.90%,主要系2018年MOCVD设备销售数量较2017年增长85.96%。

  得益于半导体行业的增长、全球产能向中国转移,以及公司技术研发、产品品质、品牌信誉度、客户资源等方面的优势,公司半导体设备产品线逐渐扩充并实现规模化销售,已经形成刻蚀设备和 MOCVD 设备并重的收入结构,新一代产品也逐渐进入市场,收入利润保持高增长,从2016年的6.10亿元增长至2018年的16.39亿元,年均复合增长率达64%,2017 年、2018年增长率分别为 59.41%、68.66%,净利润同样高速增长,从2016年亏损2.4亿增长至2018年的盈利9087万,2017、2018年增长率112%、203%,成长性极强。收入净利润持续高增长具有多方面因素:

  (1)半导体行业需求的不断增长,是公司收入快速增长的前提。近年来随着 PC、手机、液晶电视等消费类电子产品需求不断增加,同时在以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下,全球半导体产业需求不断增长。同时作为全球最大的半导体消费市场,我国对半导体器件产品的需求持续旺盛,持续旺盛的市场需求带动全球产能中心逐步向中国转移。半导体行业的增长以及全球产能向中国转移,带动了半导体设备需求增长。

  (2)持续研发投入和新产品的不断推出是公司收入快速增长的基础。公司历来重视研发投入与技术创新,致力于依靠自主创新实现企业可持续发展。公司构建了比较完善的研发体系,形成了持续的研究创新能力。2016-2018年,凭借良好的研究创新能力,公司持续加大研发投入,不断推出新产品,如 PrismoA7 和 Primo AD-RIE-e 等,产品线不断升级丰富,持续推动公司收入增长。

  (3)优质的客户资源和良好市场品牌是公司收入快速增长的重要保障。凭借公司在不断发展过程中积累形成的先进的技术、优质的产品、丰富的行业经验和切实为客户解决问题的售后服务体系,公司与国际及国内领先的半导体制造商建立了良好的合作关系。

  2018年经营活动净现金流量由负转正,经营质量迎来质变。2016-2018年经营活动产生的现金流量净额分别为-1.0亿、-1.5亿和2.6亿。2018年经营活动现金流量净额由负转正,主要由于公司销售规模扩大,预收账款和应收账款回款双双增加。2018年现金流量净额是净利润的2.87倍,盈利质量有较大幅度的提升。

  应收票据全部为银行承兑汇票,信用风险较低;应收账款管理能力较强。随着2017年以来MOCVD设备销售收入大幅提升,公司开始接受部分优质客户的银行承兑汇票,应收票据余额逐年增加,2018年5427万。应收账款余额随公司营业收入的增长而逐年增长,2018 年公司应收账款余额4.9亿,同比增加1477万,增幅3.11%远低于营业收入的增幅,主要因为公司在业务规模高速增长、不同客户群体对应的业务量出现变化的情况下,对应收账款管理能力的增强。

  公司应收账款周转率、存货周转率与北方华创相近,低于行业可比上市公司的平均值,主要系公司仍处于快速发展阶段的初期,与国外成熟的同行业上市公司所处的发展阶段不同所致。

  产品销售主要集中于国内。2016、2017和2018年,来自中国和中国合计的销售收入占主营业务收入的比例分别为88.98%、95.38%和 95.35%。来源于中国地区的收入快速增长,占比从2016年57.43%提升至2018年83.89%,主要原因包括:(1)2017年成功推出Prismo A7设备并迅速占领国内市场,2018年在全球氮化镓基 LED MOCVD设备市场已占据主导地位;(2)2018年地区客户投资规模扩大,对刻蚀设备的需求也大幅回升。其他国家和地区收入占比较低,2016-2018 年国外收入占比分别为11.02%、4.62%和4.65%,主要集中在韩国、新加坡和欧洲地区。

  近三年毛利率逐年下降,主要原因是产品结构调整以及主动降价策略。公司的刻蚀设备下游客户主要是集成电路制造商、半导体封测厂商,定制化程度高,综合毛利率较高。MOCVD设备的下游客户主要是LED芯片制造商,标准化程度相对较高,综合毛利率相对较低。公司主营业务毛利率由于产品结构变化、市场策略变化有所下降,分别为42.52%、38.59%和35.50%,但总体维持在良好的水平。分产品看:

  刻蚀设备:三年毛利率分别为43.13%、38.37%和47.52%,存在一定波动的主要原因包括:(1)刻蚀设备的定制化程度较高,下游客户对规格型号、产品标准、技术参数等方面的要求不尽相同,产品结构和功能存在差异,同类设备价格及相关的毛利率间存在一定的差异;(2)按行业惯例,会对使用设备过程中出现略低于客户期望的工艺参数的情况予以补偿并计入当期营业成本,且2017年刻蚀设备营业收入规模较低,导致当年公司刻蚀设备的毛利率同比出现下滑。

  MOCVD设备:三年毛利率分别为33.82%、38.13%、 26.33%, 2017年MOCVD 设备毛利率同比增长4.31pct,因为2017年新推出了高毛利率的Prismo A7;2018 年同比下降11.79pct,原因是公司主动降价,为了进一步扩大市场份额和提升销售额。

  2018年毛利率低于行业平均水平,主要是主动降价策略导致。2016-2017年收入主要来源于刻蚀设备,毛利率与刻蚀设备主要竞争对手应用材料、泛林半导体、东京电子基本相同,2018年为进一步扩大市场份额和提升销售额,主动降价导致MOCVD设备毛利率有所下降,因而毛利率低于同行业可比公司均值。

  公司累计研发投入约10亿元,占营业收入的比重约为32%。2016-2018年研发投入分别为3.0亿、3.3亿和4.0亿,占比分别为49.6%、34.0%和24.6%。主要由于半导体设备行业技术发展十分迅速,具有产品升级快、足球外围竞猜VIP研发投入大、研发风险较高等特点,公司瞄准世界科技前沿,坚持技术和产品的持续创新,始终保持大额的研发投入并逐年增长。

  政府补助主要为承接科研项目经费,冲减研发费用或计入其他损益。2016-2018年计入当期损益的政府补助的金额分别为1.2亿、1.2亿、1.7亿,对经营成果影响较大。公司承担了多项与刻蚀技术、MOCVD技术等核心技术相关的科研项目,承担科研项目所获得政府补助的资金来源主要为国家专项经费、地方政府经费等。

  中微公司最大的优势,是15年来技术经验的不断积累,也是18年业绩爆发的根本原因。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求,所以半导体设备行业技术门槛较高,新进入者需要技术积累才能进入该领域。中微积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验,拥有多项自主知识产权和核心技术,先后承担了五个国家科技发展重大专项研发项目,已顺利完成四个等离子体刻蚀机的开发和产业化项目。目前正在执行的第五个研发项目,已提前两年达到预定技术指标。在刻蚀设备方面,成功开发了低电容耦合线圈技术、等离子体约束技术、双反应台高产出率技术等关键技术。在 MOCVD 设备方面,Prismo A7 设备拥有双区可调控工艺气体喷淋头和带锁托盘驱动技术,以实现优良的波长和厚度均一性指标。

  创始人是行业引领者,全员持股激励效果显著,未来将不断推进技术创新。创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有35 年行业经验,是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者。其他核心技术人员160多位,很多在国际半导体设备产业耕耘数十年。截止2018年末,公司共有员工653人,其中博士48人、硕士171人、大学本科310人,整体学历水平较高,其中研发人员高达240人,工程技术人员141人,是完全由技术导向的高科技成长公司。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入,保证了公司产品和服务不断创新改进,全员持股制度也极大激发员工研发热情。

  目前全球半导体设备市场仍由国外厂商主导,行业呈现高度垄断的竞争格局。2018年全球半导体设备系统及服务销售额为811亿美元,其中前五大半导体设备制造厂商,占据65%的市场份额。其中阿斯麦在光刻机设备方面形成寡头垄断。应用材料、东京电子和泛林半导体是提供等离子体刻蚀和薄膜沉积等工艺设备的三强。科天半导体是检测设备的龙头企业。

  公司刻蚀设备技术水平已和国外平分秋色。在刻蚀机领域,分为三种类型的刻蚀机:金属刻蚀机,硅刻蚀机和介质刻蚀机,三种设备并不通用。其中硅刻蚀和金属刻蚀相对容易,介质刻蚀机是最难做的刻蚀设备。目前国内生厂商刻蚀设备主要是2家,北方华创主要侧重于金属刻蚀机,硅刻蚀机,中微半导体侧重于介质刻蚀机。公司的刻蚀设备Primo D-RIE、 Primo AD-RIE 及 TSV 等刻蚀设备运用了双反应台高产出率技术,可带有六个单独的单反应台的反应腔,也可带有三个双反应台的反应腔。配置双反应台的刻蚀设备能帮助客户降低成本。在电容性等离子体刻蚀设备领域,Primo AD-RIE-e刻蚀设备已达国际先进水平;电感性等离子体刻蚀设备领域,Primo nanova已有20个反应腔在客户生产线核准,另外还有多家领先客户计划评估这一产品。深硅刻蚀设备也已经进入国际主流 MEMS 生产厂。

  2017年国产刻蚀机取得突破,中微公司率先突围。2017年7月台积电宣布,中微被纳入其7nm工艺设备商采购名单。去年12月公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机正式通过台积电验证,将用于全球首条5纳米制程生产线。目前,高端刻蚀机仅应用材料、东京电子和中微半导体等少数几家,能通过台积电5nm验证的更少。这是国内半导体厂商第一次参与世界最先进的芯片研发生产行列。

  MOCVD设备同样达到国际先进水平。公司的MOCVD设备Prismo A7 可配置多达4 个反应腔,可以同时加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片,工艺能力还能延展到生长 8 英寸外延晶片,每个反应腔都可独立控制,这一设计可以实现卓越的生产灵活性,有效提高了客户的生产效率,受到市场广泛好评。

  2017年MOCVD设备也突破国外公司垄断。2017年以前MOCVD设备主要由维易科和爱思强两家国际厂商垄断,2017年以来公司设备逐步打破其垄断。2018年公司在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据主导地位,自主研发的 MOCVD设备已被三安光电、华灿光电、乾照光电等多家一流 LED 制造厂商大批量采购。

  进口替代空间广阔。2018年半导体设备在中国的销售额为128亿美元,同比增长56%,占全球市场的21%,成为仅次于韩国的第二大半导体设备需求市场。而2018年国产半导体设备销售额为109亿元,自给率约为3%,协会统计的数据包括集成电路、LED、面板、光伏等设备,实际上国内集成电路设备的自给率仅有5%左右,在全球市场仅占1-2%,技术含量最高的集成电路前道设备市场自给率更低。

  对应巨大的需求缺口,依赖进口问题诸多,中微是我国半导体设备企业中极少数能与全球顶尖设备公司直接竞争并不断扩大市场占有率的公司,是国际半导体设备产业界公认的后起之秀。公司自主研发的刻蚀设备正逐步打破国际领先企业在国内市场的垄断,已被海内外主流集成电路厂商接受。

  中微等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际先进的14/7/5纳米生产线,开发的大型MOCVD设备逐步替代进口设备。目前累计已有1100多个反应台服务于国内外40余条先进芯片生产线,自主研发的MOCVD设备已被多家领先LED生产厂家使用和认可。2018年公司在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据主导地位。分产品看:

  刻蚀设备:集成电路制造环节,公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线纳米器件中若干关键步骤的加工;同时公司根据先进集成电路厂商的需求开发5纳米及更先进的刻蚀设备和工艺。在3D NAND芯片制造环节,公司电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于64层量产,根据存储器厂商的需求正在开发96层及更先进的刻蚀设备和工艺。公司刻蚀设备技术处于世界先进水平,符合产业发展趋势。

  MOCVD设备:Prismo D-Blue、Prismo A7 能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力,Prismo A7设备技术实力突出,已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据主导地位,中微和诸多一流LED外延片厂商公司紧密合作,实现了产业深度融合,同时正在开发更大尺寸MOCVD设备,将有助于产业的进一步发展。

  中微对于零部件供应商的选择十分慎重,对其工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核,并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系,与全球超过450家供应商建立了稳定的合作关系,其中包括90家关键供应商。凭借公司自主技术创新的优势,在国内培育了众多的本土零部件供应企业,稳定的供应体系保障了公司的产品和服务水平的持续提升。

  公司研发和生产活动主要集中在中国,相较于国际竞争对手运营成本具有一定优势。中微建立了全球化的采购体系,与供应商密切合作,能制造出模块化、易维护、具有成本竞争优势的产品;通过科学的方法管理库存,有效地降低了公司的运营成本。这些加强了公司产品和服务的竞争优势,中微成功进入了多家芯片制造企业的供应链体系,在降低客户采购成本的基础上,逐步提高公司产品的市场占有率。

  首先第一阶段硅片制备,开采半导体材料并根据半导体标准进行提纯。硅片以沙子为原料,通过转化可以成为具有多晶硅结构的纯净硅,形成带有特殊电子和结构参数的晶体,之后在晶体生长和晶体准备工艺中,晶体被切割成称为晶圆的薄片,并进行表面处理。

  第二阶段晶圆制造,就是在表面形成器件或集成电路。在每个晶圆上通常可形成200-300个同样的器件,也可多至几千个,晶圆制造有几千个步骤,可以分为两大主要部分:前段工艺线(FEOL)是晶体管和其他器件在晶圆表面形成的,后端工艺线(BEOL)是以金属线把器件连在一起并加一层最终保护层。

  第三阶段晶圆封测,在第二阶段晶圆制造后,晶圆上的芯片已经完成,但是仍旧保持晶圆形式并未经测试,因此每个芯片都需要晶圆电测来检测是否符合客户要求。随后进行封装,是指通过一系列过程把晶圆上的芯片分隔开,然后将它们封装起来,保护芯片免受污染和外来伤害的作用,并提供坚固耐用的电气引脚以和电路板或电子产品相连,这个阶段最后还有芯片最终测试,因此称为晶圆封测。

  晶圆制造环节是生产链条里最重资产的一环,成熟市场的设备投入占总设备比在70%-80%之间。晶圆制造工序分别是氧化—光刻—刻蚀—抛光—掺杂和CVD沉积/PVD沉积—晶圆中测,主要涉及到的生产设备分别是氧化炉、光刻机、刻蚀机、CMP抛光机、离子注入机、薄膜沉积设备、清洗机和检测机,其中光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备的价值量最大,生产难度也最高。

  按照价值量从高到低排序,设备依次是光刻机(30%)、CVD设备(20%)、刻蚀设备(12%)、PVD 设备(12%)、氧化扩散炉(5%)、离子注入设备(4%)、剥离设备(4%)、抛光设备(3%)和快速热处理设备(2%)。美国、欧洲、日本等国家在晶圆制造设备上远远领先其他国家,我国尽管开始突破,但仍处于起步阶段,北方华创在氧化炉、PVD沉积设备、刻蚀机等领域取得重大突破,甚至部分产品已经批量供货,中电科也取得一定突破。根据SEMI预计2018/2019年我国半导体设备整体投资125亿、173亿,按晶圆制造设备占比70%-80%之间测算,则市场空间为680亿、941亿。

  刻蚀设备和薄膜沉积设备有望正成为更关键且投资占比最高的设备。随着集成电路芯片制造工艺的进步,线纳米以及更先进的工艺发展。由于普遍使用的浸没式光刻机受到波长限制,14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工将通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合—多重模板效应来实现,使得相关设备的加工步骤增多,刻蚀设备和薄膜沉积设备有望正成为更关键且投资占比最高的设备。根据SEMI的统计数据,截至2017年各类晶圆制造设备的市场规模占比变化趋势如下:

  刻蚀装备进口替代空间广阔。随着集成电路中器件互连层数增多,刻蚀设备的使用量不断增大,泛林半导体由于其刻蚀设备品类齐全,从65纳米、45纳米设备市场起逐步超过应用材料和东京电子,成为行业龙头。泛林半导体在刻蚀设备行业的市场占有率从2012年的约45%提升至2017 年的约55%,主要替代了东京电子的市场份额。排名第二的东京电子的市场份额从 2012年的30%降至2017年的20%。应用材料位于第三,2017年约占19%的市场份额。前三大公司在 2017年占据刻蚀设备总市场份额的94%,行业集中度高,技术壁垒明显,可进口替代空间广阔。

  MOCVD进口替代空间同样广阔。LED外延片的制备是LED芯片生产的重要步骤,与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同,主要通过MOCVD单种设备实现。MOCVD设备作为LED制造中最重要的设备,其采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上,因此MOCVD设备的数量成为衡量LED制造商产能的直观指标。近年来,中国LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的快速增长2015-2017年中国MOCVD设备保有量从1222台增长至1718台,年均复合增长率达18%,中国已成全球MOCVD设备最大的需求市场,保有量占全球比例已超40%。

  目前MOCVD设备下游应用主要包括蓝光LED,蓝光LED则主要用于照明领域。蓝光 LED与荧光粉的组合促生了取代白炽灯、荧光灯的新一代照明市场。蓝光LED和氮化镓有密不可分的联系,蓝光LED研发取得突破的关键是科学家们找到了氮化镓这种具有较带宽度的半导体材料。氮化镓基LED促进了照明行业的发展。除蓝光LED,MOCVD设备还可应用于绿光LED、红光LED、深紫外LED,以及Mini LED、Micro LED、功率器件等诸多新兴领域,MOCVD设备的市场规模会有望进一步扩大。

  “一代设备,一代工艺,一代产品”,半导体设备行业的技术水平及特点与半导体制造工艺的需求密切相关。集成电路一层结构的加工就需要十几个步骤,如果要建立60层的复杂结构,就需要约1000个加工步骤。单个步骤的合格率即使达到99%,1000个步骤后的合格率就趋近于零。因此只有每个步骤的合格率均达到 99.99%,才能实现总体合格率90%以上。随着国际上高端量产芯片从14纳米到10纳米阶段向7纳米、5纳米甚至更小的方向发展,当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制,关键尺寸无法满足要求,必须采用多重模板工艺,利用刻蚀工艺实现更小的尺寸,使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。

  在摩尔定律的推动下,元器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小,直接导致集成电路制造工序愈为复杂。20纳米工艺所需工序约为1000道,而10纳米工艺和7纳米工艺所需工序已超过1400道。尤其当线纳米甚至更小的方向升级,当前市场普遍使用的光刻机受波长的限制精度无法满足要求,需要采用多重模板工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽,使得薄膜沉积和刻蚀次数显著增加。20纳米工艺需要的刻蚀步骤约为50次,而10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步骤则超过100次。工序步骤的大幅增加意味着需要更多以刻蚀设备、薄膜沉积设备为代表的半导体设备参与集成电路生产环节。

  在光电子半导体LED领域存在一个类似摩尔定律的海兹定律,即LED的价格每10年将为原来的1/10,输出流明则增加20倍。制造蓝光LED的MOCVD技术已达到较为成熟的阶段,目前MOCVD设备企业主要在提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备大尺寸衬底外延能力等方面进行技术开发,以满足下游应用市场的需求。主流MOCVD设备反应腔的加工能力从31片4英寸外延片发展到34片4英寸外延片,现在行业主流厂商正在开发41片4英寸外延片超大反应器。制造红黄光LED、紫外光 LED、功率器件等都需要MOCVD设备,这些设备还有待进一步开发。Mini LED和 Micro LED 可能带来的显示器件孕育着更大的市场机会。

  虽然半导体行业呈现明显的周期性波动,但整体增长趋势并未发生变化,而新需求是驱动行业持续增长的另一主要动力,将不断催动刻蚀设备发展。随着消费电子产品朝着智能化、轻薄化、便携化发展,新的智能终端产品层出不穷,从个人电脑、宽带互联网到移动互联网的技术更替,使得集成电路、MEMS、功率器件等半导体产业的市场前景和发展机遇越来越广阔。虽然短期内个人电脑和智能手机渗透率接近高位在一定程度上影响半导体行业的持续快速发展,但以物联网为代表的新需求所带动的如云计算、人工智能、大数据等新应用的兴起,逐渐成为半导体行业新一代技术的变革力量。从长远来看,伴随新应用推动市场需求的持续旺盛,半导体行业的景气度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下,全球的半导体巨头如三星、英特尔、海力士等纷纷在近期提出加大资本性支出的计划,或开启新一轮的半导体投资周期。作为半导体生产环节投资规模占比最大的部分,半导体设备将直接受益于未来持续扩张的半导体产业。

  光电子LED产业中,以LED新型显示为代表的新兴产业,逐渐成为显示行业追逐的热点,将持续推动MOCVD设备发展。当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现,未来随着Mini LED和Micro LED技术的进一步发展和完善,LED新型显示产业有望成为继LED照明产业后MOCVD应用产业发展最迅速的版块之一。2015-2017年中国LED下游各个子行业中LED显示的市场规模为425亿、549亿、727亿,年均复合增长率约为30.79%,高于LED其他细分应用领域。伴随LED照明产品在照明行业的持续性渗透,LED新型显示在显示行业的替代性增长,未来LED行业逐步形成了双轮驱动的发展模式,为MOCVD设备行业提供了增量空间。

  全球半导体产能向中国转移,推动国内设备行业大力发展。作为全球最大的半导体消费市场,足球外围竞猜VIP我国对半导体器件产品的需求持续旺盛,中国半导体市场规模2013年至 2018年年均复合增长率为14.34%。市场需求带动全球产能中心逐步向中国转移,持续的产能转移带动了半导体整体产业规模和技术水平的提高。2016-2017年新建的晶圆厂达17座,其中中国占了10座。SEMI预估2017-2020年,全球预计新建62条晶圆加工线座晶圆厂,成为全球新建晶圆厂最积极的地区,整体投资金额预计占全球新建晶圆厂的42%,为全球之最。

  中国晶圆厂建厂潮为半导体设备行业提供了巨大的市场空间。根据SEMI 统计数据,2018 年第三季度中国半导体设备销售额同比增长 106%,首次超越韩国,预计 2019 年将成为全球最大半导体设备市场。同时,中国需求和投资的旺盛也促进了我国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展,半导体产业环境的良性发展为我国设备产业的扩张和升级提供了机遇。

  良好的半导体产业扶持政策促进半导体设备发展。为进一步加快集成电路产业发展,2014年6月出台的《国家集成电路产业发展推进纲要》强调进一步突出企业的主体地位,以需求为导向,以技术创新、模式创新和体制机制创新为动力,突破集成电路关键装备和材料瓶颈,推动产业整体提升,实现跨越式发展。国家高度重视和大力支持行业发展,相继出台了多项政策,推动中国半导体产业的发展和加速国产化进程,将半导体产业发展提升到国家战略的高度,充分显示出国家发展半导体产业的决心。

  在良好的政策环境下,国家产业投资基金及民间资本以市场化的投资方式进入半导体产业。国家产业投资基金通过股权投资的方式支持集成电路产业链各环节中具有较强技术优势和市场竞争力的公司,推动企业提升产能水平和实现兼并重组,形成良性的自我发展能力。在国家产业投资基金设立的同时,各地也支持设立地方性投资基金,鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域,以国家资金为杠杆,撬动大规模社会资本进入半导体产业。我国半导体设备行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国半导体设备行业技术水平的提高和行业的快速发展。

  2019年中国半导体设备将达到125亿美元。2018年新的半导体制造设备的全球销售额预计将增加9.7%到621亿美元,SEMI预计2019年设备市场将收缩4.0%,但2020年将增长20.7%,达到719亿美元。2018年中国设备市场排名第二,中国降落到第三位,韩国仍为第一。预计2019年中国设备销售额达到125亿美元,中国达到118.1亿美元。预计2020年要乐观的多。

  中微公司将在适当时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖。未来公司将继续通过自主研发进一步提高公司产品的竞争力,提供品质一流、性能创新的产品和优良的服务,引领国内半导体设备和技术的发展。中微公司将围绕自身核心竞争力,通过自主创新、有机生长,结合适当的兼并收购策略,不断推动企业健康发展,力争在未来十年发展成为国际一流的半导体设备公司

  公司拟进一步加大研发投入、持续进行技术创新,提高公司产品的竞争力和知名度,最终成为国际知名且领先的半导体设备研发生产公司。公司将紧紧抓住中国集成电路产业发展的历史机遇,不断提升技术能级,在刻蚀设备和MOCVD设备领域继续扩大领先优势,引领国内芯片装备技术的发展,打造高端装备领域的领先标杆性企业。凭借团队、研发、客户认证及服务、全球化采购体系、产品性价比、公司运营成本、政策支持等构筑的竞争优势,为公司持续经营能力提供了强有力的支撑,有望维持快速发展的趋势。

  本次募集10亿元将投资于:4亿高端半导体设备扩产升级项目,4亿技术研发中心建设升级项目,剩余2亿补充流动资金。

  高端半导体设备扩产升级项目:高端半导体设备的扩产升级计划包括但不限于聘请工程师、专家及其他人才,采购不同类型的刻蚀设备及MOCVD设备的Beta机,采购扩产升级所需的必要生产辅助设备和软件,储备扩产升级所需的气体、衬底等关键原材料,建设改造原有的生产厂房和仓储设施,以进一步扩大公司高端刻蚀设备和 MOCVD 设备的生产能力及在相关领域的应用。

  技术研发中心建设升级项目:作为技术和智力密集型的高科技企业,技术研发是公司可持续发展的核心因素之一。将通过改建升级现有的技术研发中心办公楼与研发实验室,完善公司技术研发中心软硬件设备配置,引进优秀的技术人才,对行业前瞻性技术进行研究开发,储备项目所需的核心原材料,强化公司核心竞争力。

  长川科技是一家半导体测试设备企业,公司主营产品包含分选机(占主营收入53.1%)和测试机(43.19%)和其他业务(3.7%)。其中测试机包含大功率测试机、模拟/数模混合测试机、分选机包含重力下滑式分选机、平移式分选机,公司产品广泛运用于半导体封测环节。足球外围竞猜VIP公司成立于2008年,并于2017年成功在创业板上市,是中国半导体协会会员,国家级高新技术企业、软件企业、浙江省重点企业研究院。

  主要产品方面:测试机是检测芯片功能和性能的专用设备,测试机对芯片施加输入信号,采集被检测芯片的输出信号与预期值进行比较,判断芯片在不同工作条件下功能和性能的有效性。分选机和探针台是将芯片的引脚与测试机的功能模块连接起来并实现批量自动化测试的专用设备。在设计验证和集成电路成品测试环节,测试机需要和分选机配合使用;在晶圆检测环节,测试机需要和探针台配合使用。即探针台是用于封装前的检测,分选机用于封装后的检验与分选。

  公司由技术人员领军,长川科技实际控制人为赵轶,持有公司28.26%的股份,核心管理、技术团队均来自于士兰微等国内知名半导体公司,对于半导体行业有着深刻的理解。2015年,国家集成电路产业基金以4000万元入股长川科技,目前持有7.32%的股权,是公司第三大股东。

  得益于良好的外部环境和半导体行业迅速发展,公司营业收入保持着快速的增长。2012-2016这5年的复合增长率为44%。根据公司最新的年报,2017年营收同比增长45%至1.8亿元,是 2012 年营收9倍。2018年营收2.16亿,增速为20.20%,仅就2018上半年营收情况分析,分产品看:

  1)公司测试机业务2018年上半年完成营业收入6382万元,同比增长167.57%。公司所生产的测试机已经获得国内众多一流集成电路企业的认可与使用,未来还将充分受益国内晶圆厂的快速扩建。公司测试机主要包括:大功率测试机(CTT系列)、模拟/数模混合测试机(CTA系列)等。前者用于三极管、二极管和IGBT等功率器件测试,后者用于模拟集成电路和数模混合类集成电路测试,技术接近国外领先水平。

  2)公司分选机业务2018H1完成营业收入4629万元,同比增长18.87%,公司分选机分为重力下滑式分选机和平移式分选机:重力式分选机是以半导体器件自身重力与压缩空气驱动器件在轨道运动,完成测试;平移式分选机以真空方式吸取半导体,依靠传动臂的水平移动完成测试。相较于转塔式分选机,上述两种机型的优点是结构简单性能可靠,缺点是每小时测试量低,且对体积小的检测件效果不佳。

  2018前三季度实现净利润3223万元,全年净利润3425万元,同比下降36.40%。2018年公司归属上市公司股东的净利润为3654万元,同比下降27.29%。公司2018H1集成电路专用设备行业毛利率为61.47%,分拆到单个产品上,测试机毛利率为75.52%,分选机为43.64%。公司产品维持毛利率高位原因在于持续的技术投入形成的高护城河。公司的研发人员占比高达 60.26%,2018前三季度公司研发费用达到4630万元,占当期营业收入的26.97%,且研发占比已经维持多年增长。对于高科技公司,保持和提升其核心竞争力、持续经营能力都离不开公司对研发的重视和投入,在这一点上,可以说长川科技具有着非常优良的研发基因。

  具体到产品上,对于测试机而言,核心参数为:测试机功能模块多少(集成电路参数项目增多)、测试精度、测试速度(意味测试成本)、智能化和大数据运用(数据存储、采集与分析)。而长川科技CTA8280型号测试机在测试精度上接近国际第一龙头泰瑞达的机型,可配备26块模块,响应速度为1ms以内,精度高出行业平均水平。

  分选机的核心参数有:测试精度、批量作业能力(每小时数量和故障停机比率)、柔性化生产能力(应对集成电路的多样化)。对比分选机龙头爱普森的Epson NS-8040SH,公司产品在批量作业能力和稳定性上接近世界领先水平。

  公司高端客户云集。通过多年的品牌建立和持续高质量的服务积累了稳定的下游客户,客户集中度很高,过去3年国内前五大客户占营收之比平均约为80%,前几大客户包括长电科技、华天科技这类知名封测企业,也包括士兰微这类的芯片设计制造商。公司在2016年以后加大市场开发力度,销售费用占比提升到10%以上,对营收的增速起到了立竿见影的效果。同时随着营收的高速扩张,应收账款占营收的比例上升至80%左右,并没有为了盲目扩大业绩而承担违约风险,经营现金流量略有不足。

  产品毛利率和净利率高出国外同业约10%的水平,但价格相比而言却仍然较为低廉,在品质接近的情况下,价格差距会推动进口替代趋势。2016年中国半导体设备行业国产化比率仅为13.55%,国产厂商发展潜力巨大。公司产品已经在长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业被使用,半导体设备的一大特点是,在产品和连接线设置上均有行业通用接口,可实现不同厂商不同类型设备的搭配组合,无须从同一厂商配套采购。故如果在使用中被认可,进口替代方面是没有使用壁垒的,行业高速扩张和国产渗透两大作用力推动下,长川科技将会维持目前高速增长态势。

  长川积极拓展新产品。公司根据现有产品正在加力拓展产品线,研发探针台等产品,并积极开拓中高端市场:在集成电路测试领域,依托于现有的模拟集成电路测试机技术,开展数字测试机的研发工作。在晶圆制造和封装专业设备领域,公司将以12英寸探针台作为突破口,切入晶圆制造领域专业设备市场,以倒装机、预封装切割机作为突破口,切入封装领域专用设备,推出符合市场定位的封装环节设备,进一步丰富公司产品线。

  面临的一大瓶颈是产能无法满足需求高速增长,2016年公司测试机产能利用率为119.5%,分选机产能利用率为104.5%,针对这一情况,公司将2016年首次公开募集资金中1亿款项投入到“长川科技生产基地建设项目”,增加1100台测试机与分选机的生产能力,而2016年两者的产能合计为400台。该基地2018年四季度完全达产,将成为公司未来营收高速增长的保障,3年目标10亿收入。公司还在新建“研发中心建设项目”,进一步提高研发条件。公司募投的“营销服务网络建设项目”计划中,公司将在完善杭州营销总部的基础上,在国内外重要目标市场区域扩建及新设网点,为现有客户和潜在客户提供更好的服务。公司计划在2020年以前达到1000人的员工规模,收入规模达到10亿元级别。

  至纯科技是国内领先的高纯工艺系统供应商,提供高纯工艺系统的设计、选型、制造、安装、测试、调试和系统托管服务。公司提供的系统和专业服务,广泛应用于半导体、微电子、生物医药、光伏、光纤、TFT-LCD、LED等领域。公司业务模式简单,高纯工艺系统为100%,对工艺的要求精益求精,公司的客户都是各自领域的佼佼者,包括INTEL,BCD、英利、晶澳、尚德、富通、京东方、扬子江药业、武汉生物所、华瑞等。

  公司成立于2000年,上市日期为2017年1月13日,实际控制人为蒋渊,持有公司股份32.05%,第二大股东陆龙英为蒋渊母亲,持有公司股份11.75%,由陆龙英任执行事务合伙人的的尚纯(上海)投资咨询中心共持有公司5.34%股份,则实际控制人家族共持有公司股份合计54.92%,股权结构较为集中。2017年7月4日面向核心管理层及技术团队39人推出股权激励计划,以价格9.92元每股价格向公司人员授予243万股,预留60万股。解除限售期的期限为自预留授予日起36月解除50%,48月解除剩余50%。

  高纯工艺系统的核心是系统设计,系统由专用设备、管道、仪表、阀门、配件等组成;系统的前端连接高纯介质储存装置,系统的终端连接客户自购的工艺生产设备。高纯工艺系统能将制程所需的高纯介质(特殊气体、化学品、液体等)从源头稳定的传输至终端设备,同时保证高纯介质避免二次污染。